IPI032N06N3 G
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IPI032N06N3 G參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
標(biāo)準(zhǔn)包裝：500
系列：OptiMOS™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：120A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：3.2毫歐@100A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@118µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：165nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：13000pF@30V
功率-最大值：188W
安裝類型：通孔
封裝：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3